ROHM R6515KNX3 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 650 V / 10.7 A 104 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
249-1120
Herst. Teile-Nr.:
R6515KNX3C16
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

R6515KNX3

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27.5nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free Plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm High Speed Switching N-Kanal 650 V, 15 A Drain Current Power MOSFET sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFETs, die einen Schwerpunkt auf hoher Effizienz legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine höhere Effizienz durch Hochgeschwindigkeitsschalten, h

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Extrem schnelles Schalten

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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