ROHM RW4E065GN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 10.7 A 104 W, 7-Pin HEML1616L7

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
249-1136P
Herst. Teile-Nr.:
RW4E065GNTCL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

RW4E065GN

Gehäusegröße

HEML1616L7

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm N-Kanal Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, geeignet für Schaltanwendungen, hat eine 30-V-Drain-Source-Spannung und einen 6,5-A-Drain-Strom, der Verpackungsart aufklebt.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.