Infineon Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) BTN99x0LV Typ P, Typ N-Kanal 2, SMD MOSFET 40 V Doppelt / 115 A, 7-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 249-3347P
- Herst. Teile-Nr.:
- BTN9990LVAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 47.27
- 3'675 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 4.73 |
| 25 - 49 | CHF 4.54 |
| 50 - 99 | CHF 4.32 |
| 100 + | CHF 4.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-3347P
- Herst. Teile-Nr.:
- BTN9990LVAUMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BTN99x0LV | |
| Gehäusegröße | PG HSOF-7 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.6mΩ | |
| Channel-Modus | Doppelt | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q100/Q006 (Grade 1) | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q006, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BTN99x0LV | ||
Gehäusegröße PG HSOF-7 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.6mΩ | ||
Channel-Modus Doppelt | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q100/Q006 (Grade 1) | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q006, AEC-Q100 | ||
MOSFET der Serie BTN99x0LV von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung von 40 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 115 A – BTN9990LVAUMA1
Merkmale und Vorteile:
• 115 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltungen
• 9,6 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Gate-Toleranz ±20 V zum Schutz von Gate-Schaltkreisen
• Zweifache N- und P-Kanalanordnung, die komplementäre Stufen ermöglicht
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für den thermischen Kopfraum
Anwendungsbereich
• Ideal für Wechselrichterstufen mit Gleichstromantrieb in Kfz-Systemen
• Verwendung mit komplementären P- und N-Kanalkonfigurationen in H-Brücken
• Kann für Hochstromschaltungen im Batteriemanagement verwendet werden
• Wird für Leistungsstufen verwendet, die Komponenten in Automobilqualität erfordern
