Microchip MSC25SMA330B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 3300 V / 104 A 81 W TO-247

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RS Best.-Nr.:
249-4128
Herst. Teile-Nr.:
MSC025SMA330B4
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

104A

Drain-Source-Spannung Vds max.

3300V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

MSC25SMA330B4

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET-SiC-3300 V von Microchip ist Teil der neuesten Familie von SiC-MOSFET-Bausteinen. Die SiC-Lösungen von Microchip konzentrieren sich auf hohe Leistung und tragen dazu bei, die Systemeffizienz zu maximieren und das Gewicht und die Größe des Systems zu minimieren. Die bewährte SiC-Zuverlässigkeit von Microchip sorgt außerdem dafür, dass die Leistung während der gesamten Lebensdauer des Endgeräts nicht nachlässt. Dieser Baustein ist eine schnelle und zuverlässige Body-Diode mit überlegener Avalanche-Robustheit.

Geringe Kapazitäten und niedrige Gate-Ladung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen inneren Durchgangswiderstands (ESR)

Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius

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