Infineon Zweifach N BSD840N Typ N-Kanal 2, SMD OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren 20 V Zweifach N / 0.88 A 400 mW, 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 250-0526P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD840NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 25.30
Auf Lager
- 170 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.253 |
| 250 - 490 | CHF 0.172 |
| 500 - 990 | CHF 0.162 |
| 1000 + | CHF 0.121 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0526P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD840NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.88A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | BSD840N | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Channel-Modus | Zweifach N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 0.75V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach N | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.88A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie BSD840N | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Channel-Modus Zweifach N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 0.75V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Zweifach N | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons Small Signal N-Kanal-Produkte sind für Automobilanwendungen geeignet. Dieser Baustein ist ein OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor. Dual-N-Kanal, Enhancement-Modus. Der Baustein bietet Ultra-Logikpegel (1,8 V Nennspannung) und ist Avalanche-getestet.
Enhancement-Modus und Pb-freie Bleibeschichtung
Vds ist 20 V und Id ist 0,88 A