Infineon BSP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 120 mA 81 W, 3-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
BSP125H6433XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

BSP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45000mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der BSP-Serie von Infineon, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 81 W maximale Verlustleistung – BSP125H6433XTMA1


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Gerät für Hochspannungsschalt- und Verlustleistungsaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und verfügt über ein dreipoliges SOT-223-Gehäuse für eine einfache Platzierung der Leiterplatte. Die Komponente ist RoHS-konform und erfüllt die Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie für den Einsatz in geregelten Fahrzeugumgebungen.

Merkmale und Vorteile:


• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 81 W Verlustleistung unterstützen anhaltende thermische Lasten
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,12 A eignet sich für Steuerpfade mit niedrigem Stromverbrauch
• Der Einschaltwiderstand von 45,000 mΩ minimiert die Leitungsverluste
• 80 nC Gate-Ladung bei 20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design

Anwendungsbereich


• Geeignet für industrielle Stromversorgungs-Schaltstufen
• Ideal für Kfz-Steuerschaltkreise, die eine Qualifizierung erfordern
• Verwendung mit kompakten Wandlern, die eine SOT-223-Montage erfordern
• Kann für Hochtemperatur-Elektronikmodule verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Prototypen- und Produktionsplatinen

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?


Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Schäden im Gate-Bereich zu verhindern.

Welcher thermische Bereich kann während des Betriebs erwartet werden?


Das Gerät ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, um einem breiten Spektrum von Umgebungsbedingungen gerecht zu werden.

Wie viele Stifte und welchen Gehäusetyp sollten Leiterplattenentwickler zulassen?


Es verwendet ein dreipoliges SOT-223-Gehäuse, das für die Oberflächenmontage und typische Lötprozesse geeignet ist.

Welche Normen oder Zulassungen gelten für diese Komponente?


Er entspricht den RoHS-Richtlinien und erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie.

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