Infineon BSP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 120 mA 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 250-0528P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 45.95
Auf Lager
- 3'910 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 0.919 |
| 125 - 245 | CHF 0.859 |
| 250 - 495 | CHF 0.788 |
| 500 + | CHF 0.747 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0528P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45000mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45000mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSP-Serie von Infineon, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 81 W maximale Verlustleistung – BSP125H6433XTMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Gerät für Hochspannungsschalt- und Verlustleistungsaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und verfügt über ein dreipoliges SOT-223-Gehäuse für eine einfache Platzierung der Leiterplatte. Die Komponente ist RoHS-konform und erfüllt die Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie für den Einsatz in geregelten Fahrzeugumgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 81 W Verlustleistung unterstützen anhaltende thermische Lasten
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,12 A eignet sich für Steuerpfade mit niedrigem Stromverbrauch
• Der Einschaltwiderstand von 45,000 mΩ minimiert die Leitungsverluste
• 80 nC Gate-Ladung bei 20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design
• 81 W Verlustleistung unterstützen anhaltende thermische Lasten
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,12 A eignet sich für Steuerpfade mit niedrigem Stromverbrauch
• Der Einschaltwiderstand von 45,000 mΩ minimiert die Leitungsverluste
• 80 nC Gate-Ladung bei 20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Stromversorgungs-Schaltstufen
• Ideal für Kfz-Steuerschaltkreise, die eine Qualifizierung erfordern
• Verwendung mit kompakten Wandlern, die eine SOT-223-Montage erfordern
• Kann für Hochtemperatur-Elektronikmodule verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Prototypen- und Produktionsplatinen
• Ideal für Kfz-Steuerschaltkreise, die eine Qualifizierung erfordern
• Verwendung mit kompakten Wandlern, die eine SOT-223-Montage erfordern
• Kann für Hochtemperatur-Elektronikmodule verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Prototypen- und Produktionsplatinen
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Schäden im Gate-Bereich zu verhindern.
Welcher thermische Bereich kann während des Betriebs erwartet werden?
Das Gerät ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, um einem breiten Spektrum von Umgebungsbedingungen gerecht zu werden.
Wie viele Stifte und welchen Gehäusetyp sollten Leiterplattenentwickler zulassen?
Es verwendet ein dreipoliges SOT-223-Gehäuse, das für die Oberflächenmontage und typische Lötprozesse geeignet ist.
Welche Normen oder Zulassungen gelten für diese Komponente?
Er entspricht den RoHS-Richtlinien und erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie.
