Infineon BSZ Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P +20 V / 5.10 A 81 W, 8-Pin PQFN

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250-0564P
Herst. Teile-Nr.:
BSZ15DC02KDHXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

+20V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons fertigt diese Complementary P + N Kanal, Enhancement-Modus. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Dieser Baustein ist ein OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Small-Signal-Transistor mit Super Logikpegel (2,5 V Nennspannung). Das Produkt hat einen gemeinsamen Abfluss und ist Avalanche-getestet. Die Betriebstemperatur beträgt 175 °C. Das Produkt ist 100 % bleifrei und halogenfrei.

Super Logikpegel (2,5 V Nennspannung)

100 % bleifrei

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