Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 153 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 252-0260P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 153A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0042mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 153A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8DC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0042mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet