Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Herst. Teile-Nr.:
SIHK185N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.16Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 19 A – SIHK185N60E-T1-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät für die Leistungsumwandlung und Steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen. Entwickelt für die Oberflächenmontage in kompakten Baugruppen, arbeitet er als N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus und eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Temperaturbeständigkeit und eine robuste Spannungsbeständigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine erhebliche Lastverarbeitung • 0,16 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz • Typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie • Die Verlustleistung von 114 W verwaltet die thermische Last in kompakten Layouts • Die Gate-Toleranz von ±20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design und den Schutz

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungsnetzteile in der industriellen Automatisierung • Ideal für Wechselrichterstufen in Motorsteuerungssystemen • Wird für die DC/DC-Umwandlung in robusten elektrischen Geräten verwendet • Kann für Schaltmodusfunktionen in Stromverteilungsmodulen verwendet werden

Welchem Betriebstemperaturbereich kann er standhalten?


Es funktioniert zwischen -55 °C und +150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.

Welcher Gehäusetyp ist für die Leiterplattenintegration vorgesehen?


Das Gerät wird in einem oberflächenmontierbaren PowerPAK 10 x 12-Gehäuse mit acht Stiften für die kompakte Montage geliefert.

Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen der Automobilentwicklung?


Er entspricht der AEC-Q101-Qualifikation und unterstützt Designs, die eine Robustheit von Komponenten in Automobilqualität erfordern.

Wie hoch sind die Abmessungen der physischen Grundfläche?


Die Komponente misst 6,15 mm in der Länge und 5,15 mm in der Breite für platzsparende Layouts.

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