Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65.7 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 252-0271P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR1309DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 490 | CHF.0.756 |
| 500 - 990 | CHF.0.683 |
| 1000 - 2490 | CHF.0.651 |
| 2500 + | CHF.0.609 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0271P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR1309DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.01mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. Das Substrat des P-Kanal-MOSFETS enthält Elektronen und Elektronenlöcher. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die am Gate-Anschluss anliegende Spannung niedriger ist als die Ausgangsspannung.
TrenchFET Gen IV p-Kanal Leistungs-MOSFET
100 % Rg getestet