Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 42.8 A 83 W, 8-Pin SIR4608DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 252-0278
Herst. Teile-Nr.:: SIR4608DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 42.8 A 83 W, 8-Pin SIR4608DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8

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250 - 495	CHF.1.334	CHF.6.67
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RS Best.-Nr.:: 252-0278
Herst. Teile-Nr.:: SIR4608DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	42.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.01mΩ
	Channel-Modus	Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	56nC
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	6.15mm
	Breite	5.15 mm
	Länge	6.15mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01mΩ
	Channel-Modus Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 6.15mm
	Breite 5.15 mm
	Länge 6.15mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SIR4608DP-T1-GE3

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET

Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM

100 % Rg und UIS getestet

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 42.8 A 83 W, 8-Pin SIR4608DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8

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