Teile-Nr.

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W DSBGA

RS Best.-Nr.:: 252-8469
Herst. Teile-Nr.:: CSD13306WT
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W DSBGA

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 252-8469
Herst. Teile-Nr.:: CSD13306WT
Marke:: Texas Instruments

Technische Daten

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Texas Instruments
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Gehäusegröße	DSBGA
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.9W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Texas Instruments
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Gehäusegröße DSBGA
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.9W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W DSBGA

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