Texas Instruments N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 5 A 2.3 W WSON
- RS Best.-Nr.:
- 252-8494P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD85301Q2T
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 252-8494P
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- CSD85301Q2T
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||