DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V 0.35 W X2-DFN0806-6 DMC2991UDA-7B
- RS Best.-Nr.:
- 254-8591
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2991UDA-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.2.10
Auf Lager
- 9’350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.0.042 | CHF.2.21 |
| 500 - 950 | CHF.0.021 | CHF.1.00 |
| 1000 - 2450 | CHF.0.021 | CHF.1.00 |
| 2500 - 4950 | CHF.0.021 | CHF.0.95 |
| 5000 + | CHF.0.021 | CHF.0.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8591
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2991UDA-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN0806-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X2-DFN0806-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Es ist anwendbar in Universal-Schnittstellen Sw
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, ESD-geschütztes Gate, halogen- und antimonfrei
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V 0.35 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V 0.36 W X2-DFN0806-6 DMP22D5UDA-7B
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.36 W X2-DFN0806-6 DMP32D9UDAQ-7B
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6 DMC31D5UDAQ-7B
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.36 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V 0.36 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6 DMN31D5UDAQ-7B