DiodesZetex DMN2040U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 1.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 254-8602
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2055UQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 254-8602
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2055UQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN2040U | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.36W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN2040U | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.36W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Es ist anwendbar in Universal-Schnittstellen Sw
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, ESD-geschütztes Tor, halogen- und antimonfrei
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