DiodesZetex N-Kanal MOSFET 30 V / 15 A UDFN-2020-6
- RS Best.-Nr.:
- 254-8607
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3020UFDFQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 254-8607
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3020UFDFQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020-6 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020-6 | ||
The DiodeZetex enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it Ideal for high efficiency power management applications. It is applicable in DC to DC converters and power
Very low gate threshold voltage
ESD protected gate
Halogen and antimony Free
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal MOSFET 30 V 0.8 W UDFN-2020-6
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.81 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 0.7 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 11 A 1.73 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 1.73 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.86 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 12 V Erweiterung / 11 A 2.17 W, 6-Pin UDFN-2020