DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 350 mA 0.36 W X2-DFN0806-6
- RS Best.-Nr.:
- 254-8620P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP22D5UDA-7B
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 254-8620P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP22D5UDA-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN0806-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X2-DFN0806-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, ESD-geschütztes Gate, halogen- und antimonfrei
