DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 3-Pin X1-DFN1006-3
- RS Best.-Nr.:
- 254-8623
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2900UFB-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X1-DFN1006-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 123nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 0.67 mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 1.07mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X1-DFN1006-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 0.67 mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 1.07mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Es ist anwendbar in Lastschaltern und
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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