DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 25 A 2.7 W PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 254-8660
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H038SPDWQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.505 | CHF.5.04 |
| 50 - 90 | CHF.0.495 | CHF.4.93 |
| 100 - 240 | CHF.0.465 | CHF.4.66 |
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| 1000 + | CHF.0.313 | CHF.3.11 |
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- RS Best.-Nr.:
- 254-8660
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H038SPDWQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.7W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.7W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert, wird durch einen PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in Hinterleuchtung, DC/DC-Wandlern und Leistungsmanagementfunktionen
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, nass, Tischflanke für verbesserte optische Inspektion, niedrige Eingangskapazität, halogen- und antimonfrei
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