Vishay Si2329DS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -8 V / -6 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 256-7347P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2329DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 21.20
Auf Lager
- 1'725 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | CHF 0.424 |
| 100 - 225 | CHF 0.323 |
| 250 - 975 | CHF 0.313 |
| 1000 + | CHF 0.192 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7347P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2329DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -8V | |
| Serie | Si2329DS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.12Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -8V | ||
Serie Si2329DS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.12Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie Si2329DS von Vishay, 2,5 W maximale Verlustleistung, 0,12 Ω maximaler Drain-Source-Widerstand – SI2329DS-T1-GE3
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein kompakter oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, eine moderate Strombelastbarkeit und Standard-Gate-Drive-Pegel in kleinen SOT-23-Gehäusen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand Rds(on) 0,12 Ω ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Nenndauerstrom von 6 A unterstützt höhere Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 2,5 W ermöglicht dauerhaftes Schalten
• Gate-Ladung Qg 19,3 nC ermöglicht eine relativ schnelle Schaltleistung
• Die Gate-Source-Nennspannung von 5 V ermöglicht Gate-Antriebe mit Standard-Logikpegel
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet eine breite Temperaturtoleranz
• Nenndauerstrom von 6 A unterstützt höhere Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 2,5 W ermöglicht dauerhaftes Schalten
• Gate-Ladung Qg 19,3 nC ermöglicht eine relativ schnelle Schaltleistung
• Die Gate-Source-Nennspannung von 5 V ermöglicht Gate-Antriebe mit Standard-Logikpegel
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet eine breite Temperaturtoleranz
Anwendungen
• Geeignet für Batterieschutzschaltungen in tragbaren Geräten
• Ideal für das Energiemanagement in kompakter Unterhaltungselektronik
• Einsatz bei Lastschaltvorgängen in benachbarten, nicht zertifizierten Systemen im Automobilbereich
• Kann für High-Side-Schaltvorgänge in Gleichstromschienen verwendet werden
• Geeignet für Oberflächenmontage-Designs, die eine SOT-23-Abmessung erfordern
• Ideal für das Energiemanagement in kompakter Unterhaltungselektronik
• Einsatz bei Lastschaltvorgängen in benachbarten, nicht zertifizierten Systemen im Automobilbereich
• Kann für High-Side-Schaltvorgänge in Gleichstromschienen verwendet werden
• Geeignet für Oberflächenmontage-Designs, die eine SOT-23-Abmessung erfordern
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Es handelt sich um ein SMD-Gerät in einem SOT-23-Gehäuse, das für das Reflow-Löten auf Leiterplatten vorgesehen ist.
Welche Polarität und Spannung verarbeitet das Gerät an der Ablassquelle?
Das Gerät ist ein P-Kanal-Typ, der für eine maximale Ablass-Quellenspannung von -8 V bei Verwendung innerhalb der Nennwerte spezifiziert ist.
Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Layout-Bedenken aus?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 2,5 W sollten Leiterplatten-Kupferfläche und Wärmeleitungen vorhanden sein, um die Wärme zu verteilen und die Sperrschichttemperatur unter hoher Belastung aufrechtzuerhalten.
Gibt es Einschränkungen bei den Gate-Drive-Amplituden?
Die maximale Gate-Source-Differenz beträgt 5 V, sodass Gate-Treiber diese Spannung nicht überschreiten dürfen, um Schäden zu vermeiden.