Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET

RS Best.-Nr.:: 256-7365P
Herst. Teile-Nr.:: SI5442DU-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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RS Best.-Nr.:: 256-7365P
Herst. Teile-Nr.:: SI5442DU-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	PowerPAK ChipFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	0.85mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße PowerPAK ChipFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 0.85mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

Der N-Kanal von Vishay Semiconductor, 20 V, 25 A (Tc), 3,1 W (Ta), 31 W (Tc), SMD-Anwendungen sind Lastschalter, PA-Schalter und für tragbare Anwendungen

sind Point-of-Load, DC, DC-Wandler, Stromverwaltung.

TrenchFET Power Mosfet

Kleine Abmessungsfläche

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Dünnes 0,8-mm-Profil

100 % Rg-geprüft