Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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256-7367P
Herst. Teile-Nr.:
SI5448DU-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET-SMD-PowerPAK-Chipfet von Vishay Semiconductor ist einfach.

TrenchFET gen IV Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Thermisch verbesserte powerPAK-chipFET-Gehäuse

Kompakte Abmessungen von weniger als 6,09 mm2

Dünnes 0,8-mm-Profil

56 % geringerer RDS(ON) als bei der vorherigen Generation

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