Vishay SI5936DU N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6 A 10.4 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 256-7377P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5936DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 55.05
Vorübergehend ausverkauft
- 2'040 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF 1.101 |
| 100 - 245 | CHF 0.859 |
| 250 - 995 | CHF 0.838 |
| 1000 + | CHF 0.556 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7377P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5936DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SI5936DU | |
| Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.04Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 10.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 850μm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SI5936DU | ||
Gehäusegröße PowerPAK ChipFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.04Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 10.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 850μm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SI5936DU von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 6 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI5936DU-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsmanagementaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine effiziente Niederspannungsschaltung und Wärmehandhabung in engen Abmessungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 30 V ermöglicht eine robuste Niederspannungs-Schaltfunktion
• 6 A Dauerstrom unterstützt eine moderate Stromversorgung
• 0,04 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 3.5 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• 10,4 W maximale Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungsauswahl
• 6 A Dauerstrom unterstützt eine moderate Stromversorgung
• 0,04 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 3.5 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• 10,4 W maximale Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungsauswahl
Anwendungen
• Geeignet für den Einsatz in der Ausgangsstufe von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Batteriemanagement und Power-Path-Steuerung
• Wird mit Motortreiberstufen für Niederspannungsmotoren verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmodule mit Höhenbeschränkungen
• Ideal für Batteriemanagement und Power-Path-Steuerung
• Wird mit Motortreiberstufen für Niederspannungsmotoren verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmodule mit Höhenbeschränkungen
Welches Gehäuseformat sollte ich im Leiterplatten-Layout planen?
Das Gerät wird in einem PowerPAK ChipFET-Stil für die Oberflächenmontage geliefert, sodass Pad-Layouts einer flachen SMD-Abmessung entsprechen müssen und Wärmeleitungen oder Kupferguss zur Wärmeausbreitung zulassen müssen.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Dauerbetriebsgrenzen aus?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, aber ein Wärmemanagement ist erforderlich, um die Verlustleistung bei hohen Gehäusetemperaturen innerhalb der Nennwerte zu halten.
Welche Gate-Drive-Bedenken gibt es für die Schaltleistung?
Erwarten Sie einen moderaten Gate-Ladungsbedarf
Die Treiberfunktion sollte die typische 3,5 nC-Ladung schnell liefern, um Schaltverluste während der Steuerung von dv/dt zu reduzieren.
Ist er für Automobilanwendungen geeignet?
Es entspricht nicht den Normen für die Automobilindustrie, daher sollte es nicht verwendet werden, wo eine Qualifizierung für die Automobilindustrie vorgeschrieben ist.