Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 2.2 A PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7392
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7818DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7392
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7818DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET 150 V (D-S) 2,2 A (Ta) 1,5 W (Ta) von Vishay Semiconductor für SMD-Anwendungen sind primäre seitliche Schaltkreise.
PWM-optimierte TrenchFET-Leistungs-Mosfet
100 % Rg-geprüft
Lawinengeprüft
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