Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 8 V / 16 A, 6-Pin MICRO FOOT
- RS Best.-Nr.:
- 256-7395P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8416DB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.37.80
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.0.756 |
| 100 - 245 | CHF.0.609 |
| 250 - 995 | CHF.0.599 |
| 1000 + | CHF.0.431 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7395P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8416DB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 8V | |
| Gehäusegröße | MICRO FOOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.59mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 8V | ||
Gehäusegröße MICRO FOOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.59mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor 8 V (D-S) 16 A (Tc) 2,77 W (Ta), 13 W (Tc) für SMD-Montage und seine Anwendungen sind Lastschalter mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand für
tragbare Geräte, niedriger Stromverbrauch, niedriger Spannungsabfall, längere Batterielebensdauer, Platzersparnis auf der Leiterplatte.
TrenchFET Power Mosfet
Ultrakleine maximale Umrissgröße von 1,5 mm x 1 mm
Extrem dünn, maximale Höhe 0,59 mm