Vishay SI8824EDB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 2.1 A 0.9 W, 4-Pin MICRO FOOT
- RS Best.-Nr.:
- 256-7399P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8824EDB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | MICRO FOOT | |
| Serie | SI8824EDB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.402mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße MICRO FOOT | ||
Serie SI8824EDB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.402mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SI8824EDB von Vishay, 20 V maximale Drain-Quellenspannung, 2,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI8824EDB-T2-E1
Dieser MOSFET ist ein kompakter N-Kanal-Transistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in elektronischen Steuer- und Schaltkreisen entwickelt wurde. Er dient als Niederspannungsschalter oder Verstärker in Systemen, in denen eine geringe Strombelastbarkeit und einen niedrigen Einschaltwiderstand erforderlich sind, arbeitet über einen breiten Umgebungstemperaturbereich und eignet sich für industrielle Umgebungen, in denen kleine Leistungskomponenten erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 20 V ermöglicht Schaltanwendungen mit niedriger Spannung • 2,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 0,175 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 2,7 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltübergänge • 0,9 W Verlustleistung verwaltet thermische Belastung in kompakten Layouts • Die maximale Nennleistung von +150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Motortreiber-Gate-Stufen in Automatisierungsanlagen • Ideal für Lastschaltvorgänge in industriellen Schalttafeln • Wird für das Energiemanagement in eingebetteten elektronischen Baugruppen verwendet • Kann zum Schalten von Signalpegeln in Prüfgeräten verwendet werden
Welcher Gehäusetyp ist für das Löten auf eine Leiterplatte vorgesehen?
Er wird in einem 4-poligen MICRO FOOT-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die automatisierte Montage und dichte Platinenlayouts vorgesehen ist.
Wie verhält sich das Gerät bei Dauerbetrieb thermisch?
Mit einer Verlustgrenze von 0,9 W und einer maximalen Sperrschichtbewertung von +150 °C sollte das thermische Design Leiterplattenkupfer und einen Wärmeableiter umfassen, um die Sperrschichttemperatur bei Nennstrom innerhalb sicherer Grenzen zu halten.
Welche Gate-Treibergrenzen sollten beachtet werden, um Schäden zu vermeiden?
Die maximale Gate-zu-Quelle-Spannung beträgt 5 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Bereichs bleiben müssen, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.
Welche Umweltspezifikationen regeln den Umgang mit gefährlichen Substanzen?
Das Gerät entspricht den RoHS-Normen, die bestimmte gefährliche Stoffe bei der Herstellung und Entsorgung einschränken.
