Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 24 A 250 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 256-7413P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB24N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 5.41 |
| 25 - 99 | CHF 5.13 |
| 100 - 499 | CHF 4.53 |
| 500 + | CHF 3.89 |
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7413P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB24N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.145Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 122nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.145Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 24 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB24N65E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine hohe Spannungsbelastbarkeit, ein hohes Gleichstromverhalten und eine kompakte Leiterplattenmontage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung
• Rds(on) 0,145 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 250 W für hohe Wärmeleistung
• Der Vorwärtsabfall von Vf 1,2 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
• Die Gate-Ladung von 122 nC unterstützt eine vorhersehbare Schaltleistung
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung
• Rds(on) 0,145 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 250 W für hohe Wärmeleistung
• Der Vorwärtsabfall von Vf 1,2 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
• Die Gate-Ladung von 122 nC unterstützt eine vorhersehbare Schaltleistung
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit LED-Treibern verwendet, die eine hohe Spannung erfordern
• Kann für die Leistungsfaktorkorrektur von Front-Ends verwendet werden
• Geeignet für Wechselrichter- und USV-Primärschaltelemente
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit LED-Treibern verwendet, die eine hohe Spannung erfordern
• Kann für die Leistungsfaktorkorrektur von Front-Ends verwendet werden
• Geeignet für Wechselrichter- und USV-Primärschaltelemente
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Das Gerät darf nicht über eine maximale Gate-to-Source-Spannung von 30 V hinaus betrieben werden, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.
Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Dauerstromfähigkeit aus?
Der angegebene kontinuierliche Ablassstrom setzt ein angemessenes Wärmemanagement voraus
ohne ausreichende Kühlkörper oder Leiterplatten-Wärmeleitungen wird die effektive Strombelastbarkeit reduziert, bevor die Verlustgrenze von 250 W erreicht wird.
Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, und sollte an ein Board-Pad-Layout gelötet werden, das für Wärmeleitfähigkeit an der Kupferplatte sorgt.
Welche extremen Umgebungstemperaturen kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.