Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 33 A PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7433P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA18DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 31.80
Auf Lager
- Zusätzlich 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | CHF 0.636 |
| 100 - 225 | CHF 0.485 |
| 250 - 975 | CHF 0.475 |
| 1000 + | CHF 0.293 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7433P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA18DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor umfasst Anwendungen wie DC, DC-Umwandlung, Batterieschutz, Lastschaltung und DC-Wechselrichter.
TrenchFET gen IV Power Mosfet
100 % Rg- und UIS-geprüft
Niedriger Qg für hohen Wirkungsgrad