Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 11.3 A PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 256-7435P
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF 1.959 |
| 100 - 245 | CHF 1.656 |
| 250 - 995 | CHF 1.626 |
| 1000 + | CHF 1.182 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7435P
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0149Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0149Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET 100 V (D-S) von Vishay Semiconductor für Anwendungen mit sehr niedrigem RDS x Qg-Verdienstwert (FOM), synchrone Gleichrichtung, primärer Seitenschalter, DC, DC-Wandler, Solar-Mikroinverter, Motorantriebsschalter, Batterie- und Lastschalter, Industrie.
TrenchFET gen IV Power Mosfet
Sehr niedriger RDS x Qg-Verdienstwert (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft