Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

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257-5793P
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS8242TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2mm

Breite

2mm

Höhe

900μm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Niedriger RDSon (< 58 m)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)

100 % Rg getestet

Niedrige Bauform (<09 mm)

Pinout nach Industriestandard

Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken

RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich

MSL1, industrielle Qualifikation

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