Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 79 A 110 W TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
257-9267
Herst. Teile-Nr.:
IRF1018ESTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

79A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.4mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dv/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA

Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.