Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 79 A 110 W TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-9267
Herst. Teile-Nr.:
IRF1018ESTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

79A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.4mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dv/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA

Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt

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