Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 100 A 170 W, 4-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9269
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1104PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.945 | CHF.47.46 |
| 100 - 200 | CHF.0.83 | CHF.41.69 |
| 250 - 450 | CHF.0.809 | CHF.40.64 |
| 500 - 1200 | CHF.0.788 | CHF.39.59 |
| 1250 + | CHF.0.777 | CHF.38.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9269
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1104PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.009Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.009Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
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