Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 35 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9355P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB5615PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF 2.121 |
| 50 - 120 | CHF 1.97 |
| 125 - 245 | CHF 1.838 |
| 250 + | CHF 1.697 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9355P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB5615PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 150-V-Single-N-Kanal-Digital-Audio-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Standard-Pin-Ausführung ermöglicht den Austausch im Steckdosenbereich
Hochstromträgergehäuse
Qualifikationsstufe nach Industriestandard
Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen
Erhöhte Leistungsdichte