Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 99 A 143 W TO-252

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257-9458
Herst. Teile-Nr.:
IRLR3636TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

99A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.3mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Verlustleistung Pd

143W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRLR-Serie ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

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