Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 306 A TSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.50.20

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 4'023 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
10 - 24CHF.5.02
25 - 49CHF.4.81
50 - 99CHF.4.60
100 +CHF.4.29

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-0679P
Herst. Teile-Nr.:
BSC012N06NSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

306A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-MOSFETs von Infineon im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOS 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige Verzögerungsladung verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubberkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt.

Niedrigere Temperatur bei voller Ladung

Weniger Parallelen

Reduzierte Überschreitung

Erhöhte Leistungsdichte des Systems

Kleinere Größe

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.