Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 306 A 214 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0679P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC012N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 10 - 24 | CHF 4.02 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0679P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC012N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 306A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 306A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die OptiMOS-MOSFETs von Infineon im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOS 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige Verzögerungsladung verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubberkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt.
Niedrigere Temperatur bei voller Ladung
Weniger Parallelen
Reduzierte Überschreitung
Erhöhte Leistungsdichte des Systems
Kleinere Größe