Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 161 A 78 W, 8-Pin BSC019N04LSATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 258-0683
Herst. Teile-Nr.:: BSC019N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 161 A 78 W, 8-Pin BSC019N04LSATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: BSC019N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	161A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	21nC
	Maximale Verlustleistung Pd	78W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC
	Maximale Verlustleistung Pd 78W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC019N04LSATMA1

Das Infineon OptiMOS 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen verwendet werden, einschließlich Motorsteuerung und DC/DC-Wandler mit schneller Schaltung.

Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand R DS(on)

Ideal für schnelle Schaltanwendungen

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Systemkostenreduzierung

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 161 A 78 W, 8-Pin BSC019N04LSATMA1 TDSON

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