Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 57 A, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0695P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC112N06LDATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0695P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC112N06LDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 60-V-Leistungs-MOSFET ist ein zweifaches Super-SO8-Gehäuse für hohe Leistungsdichte. Es hat eine hohe Durchschlagsfestigkeit aufgrund von Qgd/Qgs<0,8
Überlegener Wärmewiderstand
Hohe Betriebstemperatur bis zu 175 °C