Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P -30 V / -40 A 52 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0719P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0719P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die äußerst innovativen OptiMOS-Familien von Infineon umfassen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.
Verstärkungsmodus
Normaler Pegel, Logikpegel oder Super-Logikpegel
Avalanche-geschützt
Bleifreie Kabelbeschichtung; CE-Kennzeichnung
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