Infineon BSZ Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 20 V / 5.1 A, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0721P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ215CHXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 258-0721P
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- BSZ215CHXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Doppelt | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 700mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Doppelt | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 700mV | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ215CHXTMA1
Dieser Zweikanal-MOSFET kombiniert P- und N-Kanal-Elemente in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage für Leistungsschalt- und Verwaltungsaufgaben. Entwickelt für die Montage auf Platinenebene, funktioniert es über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, bei denen beide Polaritätskanäle in einem einzigen Gerät erforderlich sind, während die RoHS-Richtlinien eingehalten werden.
Merkmale und Vorteile:
• Geringer Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste
• Zweikanal-Anordnung ermöglicht komplementäre Schaltfunktionen
• Die 8-polige TSSDSON-Oberflächenmontage erleichtert die Platzierung von Leiterplatten mit hoher Dichte
• Die Durchlassspannung von 0,7 V minimiert den Gate-Antrieb über Kopf
• Breite Temperaturtoleranz unterstützt raue thermische Umgebungen
• Zweikanal-Anordnung ermöglicht komplementäre Schaltfunktionen
• Die 8-polige TSSDSON-Oberflächenmontage erleichtert die Platzierung von Leiterplatten mit hoher Dichte
• Die Durchlassspannung von 0,7 V minimiert den Gate-Antrieb über Kopf
• Breite Temperaturtoleranz unterstützt raue thermische Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC-Stromverteilungsmodule in kompakten Systemen
• Ideal für komplementäre Halbbrückenanordnungen auf Einzelplatinen
• Wird für Gate-Treiber und Lastschaltung in der Steuerungselektronik verwendet
• Kann für thermisch stabile Designs verwendet werden, die unter extremen Bedingungen arbeiten
• Ideal für komplementäre Halbbrückenanordnungen auf Einzelplatinen
• Wird für Gate-Treiber und Lastschaltung in der Steuerungselektronik verwendet
• Kann für thermisch stabile Designs verwendet werden, die unter extremen Bedingungen arbeiten
Wie groß ist der maximale Umgebungstemperaturbereich, den er bewältigen kann?
Er ist für den Betrieb bei einer maximalen Temperatur von +175 °C ausgelegt.
Wie unterstützt das Gerät Schaltvorgänge mit geringem Verlust?
Das Gerät verfügt über einen maximalen Drain-Source-Widerstand von 150 mΩ, wodurch Leitungsverluste im Hochstrombetrieb reduziert werden.
Welche Pinanzahl und welche Befestigungsart sollten Entwickler erwarten?
Die Komponente wird in einem 8-poligen TSDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.
Sind beide Kanalpolaritäten im selben Gehäuse erhältlich?
Ja, die Komponente integriert sowohl P-Kanal- als auch N-Kanal-MOSFETs für komplementäre Schaltkreise.
Ist das Gerät für die Anforderungen der Kfz-Spezifikationen geeignet?
Es ist nicht als Kfz-Standardteil bezeichnet, erfüllt aber die RoHS-Umweltbeschränkungen.
