Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 115 W, 8-Pin IAUC120N04S6N013ATMA1 TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
IAUC120N04S6N013ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

IAUC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon OptiMOS 6 40V Power MOS Technologie im 5x6mm2 SS08 bleifreien Paket mit höchster Qualität und Robustheit für Automobilanwendungen. Ein Portfolio von 16 Produkten, das es dem Kunden ermöglicht, das am besten geeignete Produkt für seine Anwendungen zu finden. All dies ermöglicht die beste Produkt-FOM und Leistung auf dem Markt. Das neue Produkt SS08 bietet 120 A Dauerstrom, d. h. >25 % höher als der Standard-DPAK bei fast der Hälfte seiner Abmessungsfläche.

AEC Q101-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Produkt (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

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