Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 26 A TO-220

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super-Junction-MOSFET in einem TO-220 FullPAK NL-Gehäuse erreicht niedrige Schaltverluste mit einem RDS(on) von 360 mOhm. Die 600-V-CoolMOS PFD7 wird mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden reduziert. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme. Der 600-V-CoolMOS PFD7 bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei leichter und voller Last über CoolMOS P7- und CE-MOSFET-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W/Zoll3 führt.

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit