Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3786P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 258-3786P
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- IPB020N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Durchlassspannung Vf | 890mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 195nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Durchlassspannung Vf 890mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 120 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB020N10N5LFATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstrom-Leistungstransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und bietet eine starke Leitfähigkeit für Anwendungen, die einen hohen Dauerstrom und eine moderate Gate-Antriebsenergie erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste für Hochstrombetrieb
• Hohe Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Lastaufnahme bei hoher Verlustleistung
• Robuste Ablass-Quellenspannung ermöglicht sicheres Schalten bis zu 100 V
• Große kontinuierliche Ablassstromkapazität unterstützt Hochstromsysteme
• Mäßige Gate-Ladung gleicht Schaltgeschwindigkeit und Gate-Drive-Anforderungen aus
• Hohe Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Lastaufnahme bei hoher Verlustleistung
• Robuste Ablass-Quellenspannung ermöglicht sicheres Schalten bis zu 100 V
• Große kontinuierliche Ablassstromkapazität unterstützt Hochstromsysteme
• Mäßige Gate-Ladung gleicht Schaltgeschwindigkeit und Gate-Drive-Anforderungen aus
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Gleichstrom-Verteilerblöcke
• Ideal für Schaltnetzteile in kompakten Systemen
• Einsatz mit Motortreibern, die Toleranzen von 100 V erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Leistungsstufen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Wandler, die bei hohen Temperaturen arbeiten
• Ideal für Schaltnetzteile in kompakten Systemen
• Einsatz mit Motortreibern, die Toleranzen von 100 V erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Leistungsstufen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Wandler, die bei hohen Temperaturen arbeiten
Welche Umgebungstemperaturen kann er tolerieren?
Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und unterstützt sowohl den Kaltstart als auch den Hochtemperaturbetrieb.
Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?
Er wird in einem oberflächenmontierbaren TO-263-Gehäuse geliefert, das für platinenmontierte Stromversorgungsanlagen vorgesehen ist.
Welche Gate-Drive-Bedenken gelten für die Schaltleistung?
Die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 195 nC, was die Gate-Treiber-Strom- und Schaltzeitanforderungen anzeigt.
Welche Sicherheitsgrenzen regeln die Gate-to-Source-Ausflüge?
Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V und sollte nicht überschritten werden, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.