Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 136 A 250 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3794P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB060N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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| 25 - 49 | CHF.4.10 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3794P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB060N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 136A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 136A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 150-V-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS 5 von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die neuen Produkte bieten eine durchgreifende Reduzierung von RDS(on) und Qrr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, wodurch der Entwurfsaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Effizienz des Systems optimiert wird. Darüber hinaus erhöht die extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung die Schaltungsrobustheit.
Geringere Ausgangsladung
Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung
Geringere Parallelbildung
Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte