Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N -30 V / 70 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3831P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD068P03L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 1.444 |
| 125 - 245 | CHF 1.343 |
| 250 - 495 | CHF 1.273 |
| 500 + | CHF 1.172 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3831P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD068P03L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Feldwirkungstransistor mit P-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist eine äußerst innovative OptiMOS-Familie mit P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.
Verstärkungsmodus
Logikpegel
Avalanche-geschützt
Schnelles Schalten
Dv/dt-Nennleistung