Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 30 A TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.5.305

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’460 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.061CHF.5.30
50 - 120CHF.0.935CHF.4.67
125 - 245CHF.0.872CHF.4.35
250 - 495CHF.0.819CHF.4.07
500 +CHF.0.746CHF.3.72

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3837
Herst. Teile-Nr.:
IPD220N06L3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon OptiMOS 60V ist die perfekte Wahl für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen verwendet werden, einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und DC/DC-Konverter mit schneller Schaltung.

Ideal für schnelle Schaltanwendungen

RoHS-konform – halogenfrei

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelführung erforderlich

Verwandte Links