Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.3 A 53 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.37.90

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2'290 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 120CHF.0.758
125 - 245CHF.0.717
250 - 495CHF.0.657
500 +CHF.0.424

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3847P
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R950CEAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 500 V CoolMOS CE ist eine preis- und leistungsoptimierte Plattform, die es ermöglicht, kostenempfindliche Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten anzusprechen und gleichzeitig die höchsten Effizienzstandards zu erfüllen. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super-Junction-MOSFETs, ohne die Benutzerfreundlichkeit zu beeinträchtigen und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.

Hohe Gehäuse-Dioden-Robustheit

Reduzierte Umkehrwiederherstellungsladung

Einfache Steuerung des Schaltverhaltens

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.