Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -73 A 75 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3862P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70P04P409ATMA2
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 20 - 48 | CHF 1.667 |
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| 100 - 198 | CHF 1.454 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3862P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70P04P409ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb
Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis
Höchste Strombelastbarkeit