Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF 43.64

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4'994 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
20 - 48CHF 2.182
50 - 98CHF 2.04
100 - 198CHF 1.889
200 +CHF 1.768

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3881P
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S4L11ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOSTM-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der OptiMOS-T2-Leistungs-Transistor von Infineon ist ein Dual-Super-S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Produkt (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.