Infineon, SMD MOSFET 650 V / 14 A PG-TDSON-8

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der Super-Junction-MOSFET in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 600 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm2 und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit dem Benchmark mit niedrigem Parasitstrom führen diese Merkmale zu deutlich kleineren Formfaktoren und tragen zur Steigerung der Leistungsdichte bei. Die CoolMOS PFD7-Produkte werden mit einer schnellen Gehäusediode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden verringert.

Sehr niedriger FOM RDS(on) x Eoss
Integrierte robuste schnelle Gehäuse-Diode
ESD-Schutz bis zu 2 kV
Großer Bereich von RDS(on)-Werten
Minimierte Schaltverluste
Verbesserte Leistungsdichte im Vergleich zur neuesten CoolMOS-Ladegerätetechnologie