Infineon IPW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3909P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF 46.76
Auf Lager
- 81 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 4.68 |
| 25 - 49 | CHF 4.59 |
| 50 - 99 | CHF 4.26 |
| 100 + | CHF 3.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3909P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 219W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 219W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Super-Junction-MOSFET-Familie CoolMOS P6 von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach einzurichten. CoolMOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Besserer Wirkungsgrad bei Sanftkopplungsanwendungen aufgrund früherer Abschaltung
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit sowie gute Steuerbarkeit des Schaltverhaltens